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當(dāng)前位置:首頁(yè)   >  產(chǎn)品中心   >  二維材料  >  碲化物晶體

  • 碲化砷 As2Te3 (Arsenicum Telluride)

    晶體尺寸:10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體,拓?fù)浣^緣體,熱電材料 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本ЫY(jié)構(gòu) 晶胞參數(shù):a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    訪問(wèn)次數(shù):1450
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
  • 二碲化鉭 TaTe2 (Tantalum Ditelluride)

    晶體尺寸:10毫米 電學(xué)性能:金屬,電荷密度波(CDW)(TCDW ~ 170K) 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本? 晶胞參數(shù):a = 1.479nm,B = 0.364nm,C = 0.934nm,α=γ= 90°,β= 110.71 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    訪問(wèn)次數(shù):2270
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
  • 碲化錫 Sb2Te3 (Antimony Telluride)

    晶體尺寸:10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體,拓?fù)浣^緣體,熱電性 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.425nm,C = 3.048nm,α=β= 90°γ= 120 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    訪問(wèn)次數(shù):1495
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
  • 碲化鋯 ZrTe3 (Zirconium Tritelluride)

    晶體尺寸:8毫米 電學(xué)性能:半金屬,電荷密度波(CDW,~ 63K),超導(dǎo)體(TC ~ 2K) 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡绷? 晶胞參數(shù):a = 0.5864nm,B = 0.3918nm,C = 1.009nm,α=γ= 90°,γ= 98 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    訪問(wèn)次數(shù):1483
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
  • 二碲化鉬晶體(百分之99.995)2H-MoTe2

    二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:N型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

    訪問(wèn)次數(shù):1334
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
  • 二碲化鈀晶體 PdTe2

    二碲化鈀晶體 PdTe2 (Palladium Ditelluride) 晶體尺寸:2-3毫米 電學(xué)性能:金屬,半導(dǎo)體(Tc ~ 1.7K) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.4035 nm, c = 0.5105 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

    訪問(wèn)次數(shù):1330
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-04
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