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  • SnSe 硒化錫晶體 （Tin Selenide）

    In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV （indirect） and 1.25 direct gaps. It has layered structure （lamellar） with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • p-type MoSe2 crystals P型二硒化鉬晶體

    More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless MoSe2 crystals.

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • GaSe 硒化鎵晶體 （Gallium Selenide）

    Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic and optical applications in 2D materials field.

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    更新日期：2024-06-03
  • GeSe 硒化鍺晶體 （Germanium Selenide）

    Our single crystal GeSe （Germanium selenide） crystals come with guaranteed optical, electronic, and structural anisotropy.

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  • In2Se3 crystals 三硒化二銦晶體

    In2Se3 single crystals were grown using Physical vapor transport （PVT） as well as Bridgman technique.

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    更新日期：2024-06-03
  • MoSe2 二硒化鉬晶體

    Our MoSe2 crystals are grown using two different techniques through chemical vapor transport （CVT） or flux zone growth （see description of these two methods below）.

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    更新日期：2024-06-03
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