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  • 硒化銦晶體（百分之99.995） InSe

    硒化銦晶體（99.995%） InSe 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 二硒化鎢鈀晶體（百分之99.995） PdSe2

    二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 硒化鎢晶體（硫摻雜）（百分之99.995）

    硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    更新日期：2024-06-03
  • 三硒化錳（磷摻雜）晶體（百分之99.995）

    三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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  • Bi2Se3 硒化鉍晶體-未摻雜

    Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.

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    更新日期：2024-06-03
  • SnSe2 二硒化錫晶體 （Tin diselenide）

    World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.

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    更新日期：2024-06-03
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