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晶體尺寸：8毫米 電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~ 63K），超導(dǎo)體（TC ~ 2K） 晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷 晶胞參數(shù)：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C = 1.009nm，α=γ= 90°，γ= 98 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX

二碲化鉬晶體 2H-MoTe2（Molybdenum Ditelluride） 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鈀晶體 PdTe2 （Palladium Ditelluride） 晶體尺寸：2-3毫米 電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（Tc ~ 1.7K） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.4035 nm, c = 0.5105 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鉑晶體 PtTe2（Platina Ditelluride） 晶體尺寸：2~3毫米 電學(xué)性能：金屬，順磁性 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.4000 nm, c = 0.5192 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%） Fe3GeTe2 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

Bismuth Telluride （Bi?Te?） Developed at our facilities since early 2013 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.